এমপিসিভিডি রুক্ষ যান্ত্রিক সিভিডি ডায়মন্ড ল্যাব তৈরি ভিভিএস ডায়মন্ড প্লেট 12x12x0.3 মিমি

একক স্ফটিক ডায়মন্ড সিভিডি (রাসায়নিক বাষ্প জমা) সিভিডি প্রক্রিয়া ব্যবহার করে উত্পাদিত হয় যেখানে কার্বন ধারণকারী গ্যাসগুলি নিয়ন্ত্রিত অবস্থার অধীনে বিচ্ছিন্ন হয়,একটি স্তর উপর একটি একক স্ফটিক ডায়মন্ড স্তর গঠন.

• ব্যতিক্রমী কঠোরতা এবং তাপ পরিবাহিতা
• উন্নত শারীরিক বৈশিষ্ট্যগুলির জন্য অত্যন্ত আদেশিত স্ফটিক কাঠামো
• কাটিয়া সরঞ্জাম, তাপ ছড়িয়ে এবং অপটিক্যাল উপাদানগুলির জন্য আদর্শ
• উত্পাদন, ইলেকট্রনিক্স এবং অপটিক্স অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে উচ্চতর পারফরম্যান্স

মাইক্রোওয়েভ প্লাজমা-সহায়তা রাসায়নিক বাষ্প জমা (এমপিএসিভিডি) ব্যবহার করে উত্পাদিত হয় যেখানে মাইক্রোওয়েভ রেজোনেন্স প্লাজমা তৈরির জন্য কার্বন ধারণকারী গ্যাসকে ভেঙে দেয়, যা 100 এর মধ্যে homoepitaxial বৃদ্ধি সক্ষম করে,টাইপ IIb ডায়মন্ড বীজ স্ফটিক 110 এবং 111 দিক.

3x3x0.3 মিমি থেকে 15x15x0.3 মিমি বিভিন্ন ধাপে

• সমস্ত মাত্রায় সঠিকতা ইতিবাচক সহনশীলতা
• 20x বড় করার সময় কোন পলিক্রিস্টালিন কালো দাগ বা ফাটল নেই
• কোন অনুপস্থিত কোণ সঙ্গে নিখুঁত লেজার কাটিং
• পোলারাইজার অধীনে অভিন্ন চাপ বিতরণ
• {100} মুখের সাথে 4pt/100 ওরিয়েন্টেশন
• Ra < 20 nm সহ পোলিশ পৃষ্ঠ
• অতি-নিম্ন অমেধ্যঃ বোর <0.05 পিপিএম, নাইট্রোজেন <20 পিপিএম